The Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) is a very unique semiconductor laser diode because it operates in low current thus implied low power consumption and during the fabrication process it can be tested. Therefore, VCSEL could replace the conventional laser diode for certain applications. However, the cavity design of a single-transversal-mode VCSEL is complicated and rarely found. This research will explore the single-transversal-mode VCSEL design by using the Effective Index Method (EIM). With EIM, the structural dimension of VCSEL could be reduced from three dimensions into two dimensions. EIM used in this paper is a combination of one dimension Transfer Matrix Method (TMM) and two-dimension Finite Element Method (FEM). By using the mode solver of TMM and FEM, we can find the best cavity design which will produce a single-transversal-mode VCSEL with Multi Quantum Well (MQW) active medium. The cladding design is similar to Photonic Crystal which consist of well arranged holes with the size of sub-micrometer to micrometer. The EIM calculation will show a slight difference in core and cladding in the typical structure of VCSEL MQW. Simulations perform in this study reveal that single-mode VCSEL can be attained by adjusting the cavity parameter such as core radius, the distance between holes / pitch in the cladding, the lattice pattern in cladding, and trench structure. The simulations show that core radius is the most influential parameter for the mode characteristic. For the typical VCSEL structure based on GaAs materials under study, the core radius of 0.25 μm to 1.2 μm can create a single mode VCSEL. Pitch size also influential for the mode characteristic. The simulations also reveal that for single mode VCSEL, the maximum pitch size is 7 μm in radius core size from 0.25 to 1.2 μm. / Sumber cahaya Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL) sangatlah menarik karena selain dapat beroperasi pada arus rendah, dapat juga dilakukan pengujian selama proses fabrikasi. Oleh karena itu VCSEL bisa menggantikan laser dioda konvensional untuk aplikasi tertentu. Namun desain cavity VCSEL bermoda transversal tunggal tidaklah mudah dan masih jarang ditemui. Penelitian ini akan membahas perancangan VCSEL bermoda tunggal. Dengan menggunakan Effective Index Method (EIM), dimensi struktur VCSEL dapat diturunkan dari 3 dimensi menjadi 2 dimensi. EIM yang digunakan menggabungkan Transfer Matrix Method (TMM) 1 dimensi dengan Finite Element Method (FEM) 2 dimensi. Dengan menggunakan program mode solver TMM dan FEM akan dicari desain cavity yang menghasilkan moda tranversal tunggal untuk VCSEL dengan medium aktif Multi Quantum Well (MQW). Desain cladding, mengikuti arsitektur mirip Photonic Crystal Fiber (PCF) yang berlubang-lubang berukuran dari sub mikrometer sampai beberapa mikrometer. Hasil perhitungan EIM menunjukkan perbedaan nilai indeks bias effektif core dan cladding yang sangat kecil pada struktur tipikal VCSEL MQW. Simulasi dalam studi ini menunjukkan VCSEL moda tunggal dapat diperoleh dengan memainkan parameter cavity yaitu, diameter core, cladding, jarak antar lubang cladding, pola lattice pada cladding, dan stuktur trench. Hasil simulasi menunjukkan bahwa parameter radius core adalah yang paling berpengaruh terhadap sifat moda. Untuk struktur VCSEL tipikal yang diteliti dengan bahan dasar GaAs, nilai radius core antara 0,25 μm sampai kira-kira 1,2 μm dapat membuat VCSEL menjadi bermoda tunggal. Sedangkan jarak antara lubang cladding juga dapat memberi pengaruh pada sifat moda. Diperoleh, bahwa untuk struktur yang digunakan, ukuran jarak antar lubang maksimum sebesar 7 μm pada radius core antara 0,25 sampai 1,2 μm akan membuat VCSEL menjadi bermoda tunggal.